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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110919735.4，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法是由谭开洲;肖添;张嘉浩;杨永晖;蒋和全;李儒章;张培健;钟怡;李孝权;王鹏飞;王鹏;王育新;唐昭焕;裴颖;李光波设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二个电阻场板结构的顶端引出控制电极，当MOSFET结构的源极电极与控制电极同电位连接时，由于两个电阻场板结构的结构不对称、存在差异，二者产生的电场耦合效果更好，更适应提升MOSFET耐压漂移区杂质浓度，降低了漂移区导通电阻而同时保持耐压，优化了导通电阻与耐压之间的基本矛盾，同时，电场耦合效果更好，对相邻的其他最小可重复单元的排斥挤压也降低，从而便于最小可重复单元的结构压缩，有利于结构小型化设计和高密度化设计。

本发明授权电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻场板非对称栅场效应器件，其特征在于，包括： 高掺杂衬底； 外延层，设置在所述高掺杂衬底上，其内形成有第一深槽和第二深槽，且所述第一深槽和所述第二深槽垂直进入所述高掺杂衬底里； 第一电阻场板结构，设置在所述第一深槽中，且其底部与所述高掺杂衬底电连接； MOSFET结构，设置在所述外延层中且位于所述第一电阻场板结构上，其源极电极与所述第一电阻场板结构的顶部电连接； 第二电阻场板结构，设置在所述第二深槽中，且其底部与所述高掺杂衬底电连接，顶部电引出控制电极； 其中，在所述电阻场板非对称栅场效应器件工作时，所述控制电极的电位与所述MOSFET结构的源极电极或所述MOSFET结构的栅极电极中的一个电极的电位相同； 在MOSFET器件的最小可重复单元中设置两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二电阻场板结构的顶端引出控制电极。

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