长江存储科技有限责任公司尹朋岸获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210793061.2，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权存储器及其制作方法是由尹朋岸;胡思平设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法，存储器包括：堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构；第一键合结构，包括：第一导电线，位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间，且沿第一方向延伸；其中，所述第一导电线分别与所述第一半导体结构和所述第二半导体结构电连接；所述第一方向平行于水平面。
本发明授权存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构； 第一键合结构，位于所述存储器的第一区域；所述第一键合结构包括：第一导电线和第二导电线；其中，所述第一导电线位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间且沿第一方向延伸，所述第一导电线分别与所述第一半导体结构和所述第二半导体结构电连接，所述第一方向平行于水平面；所述第二导电线位于所述第一导电线和所述第二半导体结构之间且沿所述第一方向延伸，所述第二导电线相对靠近所述第一导电线的一侧与所述第一导电线接触，所述第二导电线相对远离所述第一导电线的一侧与所述第二半导体结构电连接； 多个第二键合结构，位于所述存储器的第二区域，且沿第二方向并列设置；所述第二键合结构用作电容的电极板；所述第二键合结构包括：第三导电线和第四导电线；其中，所述第三导电线沿所述第一方向延伸；所述第四导电线位于所述第三导电线和所述第二半导体结构之间，且沿所述第一方向延伸，所述第四导电线与所述第三导电线接触；所述第二区域和所述第一区域沿所述第二方向并列设置，所述第二方向平行于所述水平面，所述第二方向与所述第一方向相交。
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