中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110420674.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2021-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有多晶硅栅极层，包括底部栅极层、以及凸立于底部栅极层上的多个顶部栅极层，相邻的顶部栅极层和底部栅极层围成第一凹槽；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层覆盖多晶硅栅极层的侧壁并填充于第一凹槽中；形成贯穿底部栅极层顶部的层间介质层的第二凹槽，并露出底部栅极层；在第二凹槽中形成电连接底部栅极层的金属栅极层，多晶硅栅极层与金属栅极层共同作为第一栅极结构，且金属栅极层用于作为第一栅极结构的外接端子。本发明避免了形成金属硅化物的制程对第一栅极结构侧部的层间介质层的损伤，从而降低了不同区域基底上的层间介质层产生高度差的概率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括用于形成第一器件的第一器件区； 多晶硅栅极层，位于所述第一器件区的基底上，所述多晶硅栅极层包括底部栅极层、以及凸立于所述底部栅极层上的多个顶部栅极层，所述底部栅极层和相邻的所述顶部栅极层围成第一凹槽； 层间介质层，位于所述多晶硅栅极层侧部的基底上并覆盖所述多晶硅栅极层的侧壁，所述层间介质层还填充于所述第一凹槽中； 第二凹槽，贯穿所述第一凹槽中的层间介质层，并露出所述底部栅极层； 金属栅极层，位于所述第二凹槽中并电连接所述底部栅极层，所述第一器件区中的所述多晶硅栅极层与金属栅极层共同作为第一栅极结构，且所述金属栅极层用于作为所述第一栅极结构的外接端子，所述第一栅极结构顶面露出多晶硅栅极层，还露出金属栅极层。
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