杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司孙样慧获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210570955.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法是由孙样慧;陈洪雷;吴晶;田浩洋;方长城设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法，半导体结构包括：衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；位于外延层中的基区、发射区以及集电区，其中，基区和集电区彼此隔离，发射区与基区接触且与集电区隔离，基区具有第一掺杂类型，发射区和集电区具有第二掺杂类型；位于外延层上的第一隔离结构和第二隔离结构，第一隔离结构将基区和集电区隔离，第二隔离结构将发射区的侧边与基区隔离。本申请中第二隔离结构将发射区的侧边与基区隔离，可以降低发射区与基区之间的寄生电容，提高半导体结构的特征频率。
本发明授权半导体结构及其制造方法、集成电路及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有第一掺杂类型； 位于衬底上的外延层，所述外延层具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反； 位于所述外延层中的基区、发射区以及集电区，其中，所述基区和所述集电区彼此隔离，所述发射区与所述基区接触且与所述集电区隔离，所述基区具有第一掺杂类型，所述发射区和所述集电区具有第二掺杂类型； 位于所述外延层上的第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构将所述基区和所述集电区隔离，第二隔离结构将发射区的侧边与所述基区隔离， 所述基区包括本征基区和非本征基区，所述非本征基区位于所述本征基区的一侧并与所述本征基区接触，所述本征基区围绕所述发射区并与发射区接触， 所述集电区位于所述本征基区远离所述非本征基区的一侧。
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