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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种垂直结构并联阵列LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211079825.8，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种垂直结构并联阵列LED芯片及其制备方法是由李国强;柴华卿;姚书南;雷蕾;朱子赫设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直结构并联阵列LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，公开了一种垂直结构并联阵列LED芯片及其制备方法。其垂直结构并联阵列LED芯片包括从下到上依次排列分布的导电衬底、键合金属层、p接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、InGaNGaN多量子阱层、n型GaN层、N电极。n型GaN层、InGaNGaN多量子阱层和p型GaN层通过刻蚀分割成若干个独立单元，独立单元之间的刻蚀通道沉积绝缘材料形成隔离；N电极与各独立单元连接构成并联阵列。本发明的LED芯片具有垂直结构LED芯片的优势，采用并联阵列的方法降低了芯片的结电容，从而降低了RC时间常数，相比现有技术有显著的性能提升，可用于制备适用于可见光通信的高带宽LED芯片。

本发明授权一种垂直结构并联阵列LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构并联阵列LED芯片，其特征在于，包括从下到上依次排列分布的导电衬底、键合金属层、p接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、InGaNGaN多量子阱层、n型GaN层、N电极； 所述n型GaN层、InGaNGaN多量子阱层和p型GaN层通过刻蚀分割成若干个独立单元，独立单元之间的刻蚀通道沉积绝缘材料形成隔离； 所述N电极与各独立单元连接构成并联阵列； 所述N电极与各独立单元的n型GaN层上表面形成欧姆接触； 所述N电极为Ti、Cr、Ag、Au、Pt中的一种或两种及以上的合金，厚度为500～1000nm； 所述垂直结构并联阵列LED芯片的制备方法，包括以下步骤： 1取Si衬底，采用MOCVD设备在所述Si衬底上依次生长5um厚的AlGaN缓冲层、n型GaN层107、InGaNGaN多量子阱层106和p型GaN层105，得到LED外延片；继续使用电子束蒸发设备在p型GaN层105上沉积p接触反射镜金属及保护层103，金属蒸发速率为15埃秒； 2在步骤1所述的LED芯片上通过沉积键和金属层102，从而得到第一晶圆； 3在另一导电硅衬底101上通过沉积工艺制备得到键和金属层102，从而得到第二晶圆； 4将制得的第一晶圆与第二晶圆的键合金属层进行表面活化，将处理后的键合金属层对准，然后一起送入键合机进行预键合，预键合的晶圆间形成牢固的键合，得到LED芯片半成品； 5将所述LED芯片半成品的Si衬底经过机械研磨再浸没于氢氟酸、冰乙酸和硝酸的混合液中，腐蚀至Si衬底消失为止，再采用ICP刻蚀去除AlGaN缓冲层，暴露出n型GaN层107； 6然后，采用ICP刻蚀将n型GaN层107、InGaNGaN多量子阱层106及p型GaN层105分割成若干个独立单元，将整块外延结构分割成各个相互不连接的小块，每个小块对应一个LED芯片，然后沉积P电极焊盘金属与接触层金属相连接，至此P电极从芯片内部引出至表面；然后采用PECVD进行SiO2沉积将不同独立单元隔离； 7最终通过光刻刻出N电极的台阶，沉积N电极108，得到垂直结构并联阵列LED芯片。

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