浙江驰拓科技有限公司石以诺获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁性存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110667674.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁性存储器及电子设备是由石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性存储器，从上至下依次包括磁性自旋阀、耦合层及磁性隧道结；所述磁性自旋阀从上至下依次包括自旋参考层、非磁性间隔层及自旋自由层；所述磁性隧道结从上至下依次包括隧道自由层、势垒层及隧道参考层；所述磁性隧道结通过所述耦合层与所述磁性自旋阀磁耦合。本发明的磁性自旋阀为所述磁性存储器提供了额外的自旋转移矩，大大提高了STT效率，使用较小的电流即可驱动所述磁性存储器发生翻转，进而显著降低了所述磁性存储器的功耗，此外，磁性自旋阀对器件整体的隧道磁阻的影响较小，使器件仍能维持高隧道磁阻。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备。
本发明授权一种磁性存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种磁性存储器，其特征在于，从上至下依次包括磁性自旋阀、耦合层及磁性隧道结； 所述磁性自旋阀从上至下依次包括自旋参考层、非磁性间隔层及自旋自由层； 所述磁性隧道结从上至下依次包括隧道自由层、势垒层及隧道参考层； 所述磁性隧道结通过所述耦合层与所述磁性自旋阀磁耦合； 所述磁性存储器还包括顶部钉扎层及第三耦合连接层； 所述顶部钉扎层通过所述第三耦合连接层与所述磁性自旋阀磁耦合，用于提供垂直各向异性； 所述磁性存储器还包括底部钉扎层及第四耦合连接层； 所述底部钉扎层通过所述第四耦合连接层与所述磁性隧道结磁耦合，用于提供垂直各向异性； 所述磁性存储器的耦合连接层均为反铁磁耦合层； 所述自旋参考层和或所述自旋自由层为赫斯勒合金层。
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