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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110912104.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及其制造方法是由陈柏安设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及第六氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第四氮化物半导体层之上，且具有高于第四氮化物半导体层的带隙。第六氮化物半导体层设置于第五氮化物半导体层之上且耦接至漏极电极，具有第二P型掺杂。本发明实施例提供的半导体结构，能有效的降低生产成本以及生产时间。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基板； 一第一氮化物半导体层，设置于所述基板之上； 一第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层之上，其中所述第二氮化物半导体层的带隙高于所述第一氮化物半导体层的带隙，其中一载子通道形成于所述第一氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层之间； 一第三氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层之上以及一源极电极以及一漏极电极之间，具有一第一P型掺杂； 一第四氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层之上且位于所述第三氮化物半导体层以及所述漏极电极之间，具有所述第一P型掺杂； 一第五氮化物半导体层，设置于所述第四氮化物半导体层之上，其中所述第五氮化物半导体层的带隙高于所述第三氮化物半导体层以及所述第四氮化物半导体层的带隙；以及 一第六氮化物半导体层，设置于所述第五氮化物半导体层之上且耦接至所述漏极电极，具有一第二P型掺杂，其中所述载子通道的导通电压由所述第五氮化物半导体层的厚度、所述第六氮化物半导体层的厚度以及所述第二P型掺杂的浓度所决定，而使所述第四氮化物半导体层之下方的所述载子通道达到部分耗尽。

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