中国工程物理研究院激光聚变研究中心邓志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115696710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211286243.7，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法是由邓志刚;周维民;袁宗强;单连强设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法，涉及等离子体制备领域。所述制备装置包括烧蚀激光发射器和微通道器件，其中，烧蚀激光发射器用于发射烧蚀激光，微通道器件用于引导烧蚀激光传输；微通道器件上设有设定尺寸的中心孔；烧蚀激光的焦点与微通道器件的中心孔对准，且烧蚀激光与微通道器件同轴；烧蚀激光用于烧蚀微通道器件的管壁，产生等离子体。本发明通过烧蚀激光烧蚀微通道器件的管壁制备等离子体，利用微通道器件约束激光发散，引导激光长距离传输，从而诱发等离子体在通道管内横向填充，同时抑制等离子体纵向膨胀，能够获得状态均匀、具有陡峭上升沿的小尺寸近临界密度等离子体。
本发明授权一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于微通道器件的等离子体制备装置，其特征在于，包括： 烧蚀激光发射器，用于发射烧蚀激光； 微通道器件，用于引导所述烧蚀激光传输；所述微通道器件上设有设定尺寸的中心孔；所述烧蚀激光的焦点与所述微通道器件的中心孔对准，且所述烧蚀激光与所述微通道器件同轴；所述烧蚀激光用于烧蚀所述微通道器件的管壁，产生等离子体； 束靶耦合系统，包括靶架子系统和靶后成像子系统；所述靶后成像子系统用于分别对所述烧蚀激光的焦点、所述微通道器件的前表面和所述微通道器件的后表面成像，得到对准信息；所述靶架子系统用于架设所述微通道器件，并根据所述对准信息调整所述微通道器件的位置和角度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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