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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210904053.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法是由大久野幸史设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于在碳化硅半导体装置中，即使产生工艺上的缺陷也会对施加高dVdt时的绝缘破坏的产生进行抑制。MOSFET101具有：栅极电极33及蚀刻阻挡层51，它们形成于栅极焊盘区域13的场绝缘膜32之上；以及层间绝缘膜34，其形成于栅极电极33之上及蚀刻阻挡层51之上。蚀刻阻挡层51由相对于层间绝缘膜34及场绝缘膜32的蚀刻来说选择比大于或等于5.0的物质构成，该蚀刻阻挡层51至少在栅极焊盘区域13处设置于距离栅极下阱接触区域12的阱接触孔HW1最远的位置。

本发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其在俯视观察时被划分为多个区域，该多个区域包含形成开关元件的器件区域、形成栅极焊盘的栅极焊盘区域、所述器件区域和所述栅极焊盘区域之间的栅极下阱接触区域， 该碳化硅半导体装置具有由碳化硅构成的半导体层， 所述半导体层具有： 第1导电型的漂移层；以及 阱区域，其跨所述栅极焊盘区域及所述栅极下阱接触区域而形成于所述漂移层的表层， 所述半导体层还具有： 厚度大于或等于0.8μm的场绝缘膜，其在所述栅极焊盘区域处形成于所述半导体层的上表面； 栅极电极及蚀刻阻挡层，它们形成于所述栅极焊盘区域的所述场绝缘膜之上； 层间绝缘膜，其形成于所述栅极电极之上及所述蚀刻阻挡层之上； 表面电极，其在所述栅极下阱接触区域处形成于所述层间绝缘膜之上，经由将所述场绝缘膜及所述层间绝缘膜贯穿的阱接触孔与所述阱区域接触；以及 栅极焊盘，其在所述栅极焊盘区域处形成于所述层间绝缘膜之上，经由将所述层间绝缘膜贯穿的栅极接触孔与所述栅极电极接触， 所述蚀刻阻挡层由相对于所述层间绝缘膜及所述场绝缘膜的蚀刻来说选择比大于或等于5.0的物质构成，所述蚀刻阻挡层以及所述场绝缘膜至少在所述栅极焊盘区域处设置于距离所述栅极下阱接触区域的所述阱接触孔最远的位置。

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