长鑫存储技术有限公司韦鑫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348877.0，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由韦鑫;张阳;夏云升设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，所述制备方法包括：衬底至少包括标记区及位于标记区之间的空白区；依次形成目标层和掩膜层，目标层和掩膜层共形覆盖衬底；形成核心图案；以核心图案为掩膜刻蚀掩膜层，以获得位于标记区的多个第一图案及位于空白区的多个第一虚设图案；形成第一介质层，第一介质层至少覆盖第一图案和第一虚设图案的侧壁；形成填充层，填充层至少覆盖第一介质层的侧壁，且填充位于相邻第一图案之间、第一虚设图案之间及第一图案和第一虚设图案之间的间隙；形成阻挡层，以阻挡层为掩膜，沿第一图案的侧壁刻蚀第一介质层，以形成位于标记区的第二图案；刻蚀目标层，以将第二图案转移到目标层上。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，制备方法包括： 提供衬底，所述衬底至少包括标记区及位于标记区之间的空白区；在所述衬底上依次形成目标层和掩膜层，所述目标层和所述掩膜层共形覆盖所述衬底；在所述掩膜层上形成核心图案； 以所述核心图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，以获得位于标记区的多个第一图案及位于空白区的多个第一虚设图案； 形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案和所述第一虚设图案的侧壁； 形成填充层，所述填充层至少覆盖所述第一介质层的侧壁，且填充位于相邻第一图案之间、第一虚设图案之间及第一图案和第一虚设图案之间的间隙； 形成位于所述空白区的阻挡层，以所述阻挡层为掩膜，沿所述第一图案的侧壁刻蚀所述第一介质层，以形成位于标记区的第二图案； 刻蚀所述目标层，以将第二图案转移到目标层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励