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南通大学方靖淮获国家专利权

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龙图腾网获悉南通大学申请的专利Ag/Ag2O/Ag纳米球阵列SERS基底、制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115818554B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211453558.6,技术领域涉及:B81B1/00;该发明授权Ag/Ag2O/Ag纳米球阵列SERS基底、制备方法及应用是由方靖淮;沈金祎;吴静设计研发完成,并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

Ag/Ag2O/Ag纳米球阵列SERS基底、制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明属于拉曼光谱检测技术领域,公开了一种AgAg2OAg纳米球阵列SERS基底、制备方法及应用。本发明在硅片上自组装排列出六角密排的聚苯乙烯PS球,蒸镀银,暴露在空气中自然氧化生成氧化层,再蒸镀银,形成均匀的三层纳米球阵列,得到AgAg2OAg纳米球阵列SERS基底。通过对银层沉积厚度和底层银氧化时间的调控,可得到不同性能SERS基底。本发明提供的SERS基底可应用于检测芯片,实验结果表明,当R6G浓度低至10‑9M时,该SERS基底仍能检测出拉曼信号,说明其具有痕量检测的潜力。

本发明授权Ag/Ag2O/Ag纳米球阵列SERS基底、制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种AgAg2OAg纳米球阵列SERS基底,其特征在于,所述AgAg2OAg纳米球阵列SERS基底包括硬质基底,所述硬质基底上自组装有呈六角密排阵列结构的聚苯乙烯球阵列,所述聚苯乙烯球阵列远离所述硬质基底的一侧表面具有AgAg2OAg层; 所述AgAg2OAg纳米球阵列SERS基底由包括以下步骤的制备方法制备得到: S1.在硬质基底表面,自组装形成单层的呈六角密排阵列结构的聚苯乙烯球阵列; S2.在所述聚苯乙烯球阵列远离所述硬质基底一侧表面沉积Ag层,得到具有底层Ag层的聚苯乙烯球阵列; S3.将所述具有底层Ag层的聚苯乙烯球阵列进行氧化处理以在底层Ag层表面形成Ag2O层; S4.在所述Ag2O层表面沉积Ag层,得到AgAg2OAg纳米球阵列SERS基底; 其中,所述沉积的方式为真空热沉积蒸镀。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南通大学,其通讯地址为:226019 江苏省南通市啬园路9号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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