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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211261766.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法是由张涛;苏华科;许晟瑞;张进成设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法，方法包括：对衬底层进行热处理；在热处理后的衬底层上依次生长成核层、缓冲层、背势垒层、p型GaN层，刻蚀器件形成器件的台面隔离；对器件栅极区域的p型GaN进行部分刻蚀形成栅凹槽；在栅凹槽中淀积n型掺杂扩散层；在p型GaN层和n型掺杂扩散层上生长保护层；对器件进行退火扩散；去除所有的保护层，以及残余的n型掺杂扩散层；在源极、漏极区域分别沉积源金属和漏金属形成源电极和漏电极；在完成源电极和漏电极的器件表面淀积介质层；在栅极区域沉积栅金属形成T型栅电极，并腐蚀掉源、漏电极接触区域的介质层。本发明提高了GaN增强型PMOS器件性能。

本发明授权基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括： 选取衬底层； 对所述衬底层进行热处理； 在热处理后的衬底层上生长成核层； 在所述成核层上生长缓冲层； 在所述缓冲层上生长背势垒层； 在所述背势垒层上生长p型GaN层； 对器件有源区域外的所述p型GaN层、所述背势垒层进行完全刻蚀，对所述缓冲层进行部分刻蚀，以形成器件的台面隔离； 对器件栅极区域的p型GaN进行部分刻蚀形成栅凹槽； 在所述栅凹槽中淀积n型掺杂扩散层； 在所述p型GaN层和所述n型掺杂扩散层上生长保护层； 对完成所述保护层生长的器件进行退火扩散处理，使所述n型掺杂扩散层扩散进入所述p型GaN层； 去除所有的所述保护层，以及残余的n型掺杂扩散层，完成栅极区域的退火扩散处理； 在源极区域和漏极区域分别沉积源金属和漏金属形成源电极和漏电极； 在完成所述源电极和所述漏电极的器件表面淀积介质层； 在栅极区域沉积栅金属形成T型栅电极，并腐蚀掉所述源电极和所述漏电极接触区域的介质层，以完成增强型GaNPMOS器件的制备。

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