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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211534987.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由曾繁中;宋永梁;高玉珠设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。本发明通过增设并联的二极管与电容器组成的等离子体消除组件、并电连接至待保护器件以及相应衬垫，在进行半导体结构后段的各金属层以及各绝缘层的膜层制备过程中，在有等离子体通过相应衬垫到达所述待保护器件前，通过所述电容器对电荷进行存储、经过所述二极管后对电荷进行释放，可以有效防止等离子体对所述待保护器件的损害，从而消除等离子引入损害造成的测量误差。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：待保护器件，所述待保护器件的两端分别电连接至相应的衬垫，所述待保护器件为形成于衬底的P阱区上高阻多晶硅结构；以及所述待保护器件的两端分别设置有一等离子体消除组件，所述等离子体消除组件电连接至所述待保护器件以及相应衬垫；所述半导体结构包括衬底，所述衬底上形成有P阱区，P阱区形成有两个第一有源区以及两个第二有源区，所述第一有源区对应区域形成有第一N型掺杂区，所述第二有源区对应区域形成有第二N型掺杂区，所述第二有源区上形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有导电材料层；所述等离子体消除组件包括二极管和电容器，所述P阱区、所述第一N型掺杂区以及所述P阱区与所述第一N型掺杂区相邻的区域分别作为所述二极管的P区、N区以及PN结，所述第二N型掺杂区、所述绝缘层以及所述导电材料层分别作为所述电容器的第一极板、介质层以及第二极板；所述第一有源区通过第一接触孔以及金属线电连接至所述待保护器件以及相应衬垫，所述导电材料层通过第二接触孔以及金属线电连接至所述待保护器件以及相应衬垫，从而所述二极管与所述电容器形成并联结构；其中，在有等离子体通过相应衬垫到达所述待保护器件前，通过所述等离子体消除组件的所述电容器对电荷进行存储、经过所述二极管后对电荷进行释放，以防止等离子体对所述待保护器件的损害。

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