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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利结构光场图案的获取方法及装置、分类方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115855812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211458883.1，技术领域涉及：G01N21/01；该发明授权结构光场图案的获取方法及装置、分类方法及装置是由刘世元;朱金龙;张劲松;马骏设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本结构光场图案的获取方法及装置、分类方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提出了一种结构光场图案的获取方法及装置、分类方法及装置，所述结构光场图案的获取方法，包括：获取第一结构光场；对所述第一结构光场进行投影成像处理，以获取第二结构光场；获取第一数据矩阵、以及第二数据矩阵；根据第一差值构建评价函数；通过调整所述第一数据矩阵内的像素值的大小，对所述第二结构光场进行迭代优化；当所述第一差值小于第一预设阈值或者所述迭代的次数等于第二预设阈值时，停止对所述第二结构光场进行所述迭代优化，并获取目标结构光场；获取优化结构光场图案。本发明在保证所述集成电路芯片不被破坏的前提下，提高集成电路芯片的缺陷检测的效率。

本发明授权结构光场图案的获取方法及装置、分类方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种结构光场图案的获取方法，其特征在于，包括： S1、获取第一结构光场，所述第一结构光场为与待测集成电路的第一目标区域所对应的标准结构光场； S2、对所述第一结构光场进行投影成像处理，以获取第二结构光场； S3、获取关于所述第一结构光场内的像素值分布的第一数据矩阵、以及获取关于所述第二结构光场内的像素值分布的第二数据矩阵； S4、根据第一差值构建评价函数，所述第一差值为所述第一数据矩阵和所述第二数据矩阵在第二目标区域内的对应位置处的像素值的差值； S5、通过调整所述第一数据矩阵内的像素值的大小，更新所述第一差值、以及对所述第二结构光场进行迭代优化； S6、当所述第一差值小于第一预设阈值或者所述迭代的次数等于第二预设阈值时，停止对所述第二结构光场进行所述迭代优化，并获取目标结构光场，所述目标结构光场为当前的第二结构光场所对应的第一结构光场； S7、获取优化结构光场图案，所述优化结构光场图案为所述目标结构光场所对应的结构光场图案。

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