厦门市三安集成电路有限公司练婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211654144.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种HEMT器件及其制备方法是由练婷婷;许亚红;邹冠;靳义昌设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的HEMT器件，包括衬底以及设置于衬底上的外延层，外延层上间隔设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有栅极，外延层上还设置有位于栅极两侧的导热件，衬底背离外延层的一侧设置有接地金属层，在器件的有源区外穿透衬底和外延层设置有至少一个导热柱，导热柱的两端分别与接地金属层和导热件连接。本申请提供的HEMT器件及其制备方法，增加HEMT器件的侧面散热，从而提高HEMT器件的散热效果。
本发明授权一种HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括衬底以及设置于衬底上的外延层，所述外延层上间隔设置有源极和漏极，所述源极和所述漏极之间设置有栅极，所述外延层上还设置有位于所述栅极两侧的导热件，所述衬底背离所述外延层的一侧设置有接地金属层，在器件的有源区外穿透所述衬底和所述外延层设置有至少一个导热柱，所述导热柱的两端分别与所述接地金属层和所述导热件连接； 所述导热件包括分别环绕所述源极和所述漏极的环形导热层，且所述环形导热层与所述栅极接触。
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