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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168251.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆是由焦春坤;滨田公守设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、漂移层、相互间隔设置的多个栅极沟槽、栅极、层间介质层、源极、漏极。漂移层设置于半导体衬底上，多个栅极沟槽沿平行于半导体衬底所在平面的第一方向延伸，且沿平行于半导体衬底所在平面的第二方向排列。栅极包括相互接触的第一栅极和第二栅极，第一栅极隔着栅介质层填充设置于栅极沟槽中，第二栅极隔着栅介质层设置于漂移层顶部。层间介质层覆盖于栅极远离半导体衬底一侧，源极设置于层间介质层远离半导体衬底一侧，漏极设置于半导体衬底远离漂移层的一侧，从而降低器件的导通总电阻，屏蔽栅极沟槽底部的栅极介质层电场，提升器件工作的鲁棒性。

本发明授权半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N型的半导体衬底； 漂移层，所述漂移层包括：依次在所述半导体衬底上叠层设置的第一N型半导体区、第二P型半导体区和源区，以及第一P型半导体区；所述第一P型半导体区设置在所述漂移层两个侧面，所述第一P型半导体区沿垂直于所述半导体衬底所在平面的第三方向上，由所述漂移层的顶部延伸至所述第一N型半导体区中； 相互间隔设置的多个栅极沟槽；其中，所述多个栅极沟槽沿平行于所述半导体衬底所在平面的第一方向延伸，且沿平行于所述半导体衬底所在平面的第二方向排列，所述多个栅极沟槽沿所述第三方向由所述漂移层的顶部延伸至所述第一N型半导体区中，且所述第一P型半导体区的底部与所述漂移层的顶部之间的距离大于所述栅极沟槽的底部与所述漂移层的顶部之间的距离； 栅极，所述栅极包括相互接触的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极隔着栅介质层填充设置于所述栅极沟槽中，所述第二栅极隔着所述栅介质层设置于所述漂移层顶部； 层间介质层，所述层间介质层覆盖于所述栅极远离所述半导体衬底一侧，且覆盖所述栅极以及所述源区的第一部分区域；所述层间介质层中设置有沿所述第二方向延伸的接触孔，所述接触孔用于暴露出所述第一P型半导体区和所述源区的第二部分区域； 源极，所述源极覆盖于所述层间介质层远离所述半导体衬底一侧，且覆盖所述接触孔、所述层间介质层、所述第一P型半导体区和所述源区的第二部分区域； 漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底远离所述漂移层的一侧，且覆盖所述半导体衬底； 其中，所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互交叉设置。

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