北京航空航天大学杭州创新研究院张婕获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学杭州创新研究院申请的专利一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115912017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211469862.X，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用是由张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用，涉及太赫兹发射技术领域。本发明提供的自旋太赫兹发射器件，包括依次叠层设置的铁磁材料层、反铁磁层和非铁磁层。在本发明中，铁磁材料层与反铁磁层相邻，利用反铁磁固定住下层的铁磁层磁化方向，使得在去掉外磁场的条件下依然可实现自旋太赫兹发射。本发明利用反铁磁层非铁磁层异质结可实现高效的自旋太赫兹辐射。在本发明中，反铁磁层在激光照射条件下产生自旋流，且对自旋流具有“传递作用”，在本发明的结构中，自旋流来源于铁磁层和反铁磁层，可极大地提高自旋极化流的产生效率，本发明能够实现太赫兹辐射效率的极大提升。
本发明授权一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种自旋太赫兹发射器件，包括依次叠层设置的铁磁材料层、反铁磁层和非铁磁层； 所述铁磁材料层的组分为二维铁磁材料或铁磁金属； 所述二维铁磁材料为FexGeTe2或CrTe2；所述FexGeTe2中的x为3～5；所述铁磁金属的成分为Co、Fe或Ni； 所述反铁磁层的组分为NiO或CrSb； 所述非铁磁层的组分为拓扑绝缘体、拓扑半金属或重金属；所述拓扑绝缘体为Bi2Se3、Bi2Te3、BixSb1-x、Sb2Te3或BixSb1-x2Te3； 所述BixSb1-x中的x为0～1；所述BixSb1-x2Te3中的x为0～1； 所述拓扑半金属为PtTe2或WTe2。
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