威盛电子股份有限公司陈科远获国家专利权
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龙图腾网获悉威盛电子股份有限公司申请的专利静电放电保护装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310115672.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护装置是由陈科远设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种静电放电保护装置，包括P型半导体基板、第一和第二N型深阱区、第一至第四N型掺杂区、第一至第四P型掺杂区以及第一和第二P型阱区。第一和第二N型深阱区位于P型半导体基板中；第一N型和P型掺杂区和第一P型阱区位于第一N型深阱区中；第二N型和P型掺杂区和第二P型阱区位于第二N型深阱区中；第三N型和P型掺杂区位于第一P型阱区中；第四N型和P型掺杂区位于第二P型阱区中；第一P型和第四N型掺杂区电连接输入输出端，第一N型和第二P型掺杂区电连接电源供应端，第三N型和第四P型掺杂区电连接接地端。
本发明授权静电放电保护装置在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护装置，包括： P型半导体基板； 第一N型深阱区，位于该P型半导体基板中； 第一N型掺杂区，位于该第一N型深阱区中； 第一P型掺杂区，位于该第一N型深阱区中，且与该第一N型掺杂区并排且彼此间隔设置； 第二N型深阱区，位于该P型半导体基板中，且与该第一N型深阱区并排且彼此间隔设置； 第二N型掺杂区，位于该第二N型深阱区中； 第二P型掺杂区，位于该第二N型深阱区中，且与该第二N型掺杂区并排且彼此间隔设置； 第一P型阱区，位于该第一N型深阱区中； 第三N型掺杂区，位于该第一P型阱区中； 第三P型掺杂区，位于该第一P型阱区中，且与该第三N型掺杂区并排且彼此间隔设置； 第二P型阱区，位于该第二N型深阱区中； 第四N型掺杂区，位于该第二P型阱区中；以及 第四P型掺杂区，位于该第二P型阱区中，且与该第四N型掺杂区并排且彼此间隔设置； 其中该第一P型掺杂区和该第四N型掺杂区电连接至输入输出端， 其中该第一N型掺杂区和该第二P型掺杂区电连接至电源供应端， 其中该第三N型掺杂区和该第四P型掺杂区电连接至接地端。
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