中国科学院微电子研究所张利斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种光刻对准结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111124.6，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权一种光刻对准结构及其制造方法是由张利斌;韦亚一;宋桢;马乐;杨尚;粟雅娟设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻对准结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光刻对准结构及其制造方法，该结构包括：第一部分衬底和第二部分衬底；第一部分衬底的厚度不等于第二部分衬底的厚度；位于第一部分衬底一侧的硬掩膜涂层；硬掩膜涂层在第一部分衬底的正投影真包含于第一部分衬底。从而在本申请中设置了三元系光刻对准结构，相较于传统的二元系光刻对准结构来说，提升了衍射效果和衍射质量，对尺寸微调、探测光变化的敏感度降低，从而使得衍射光信号强度和质量均较好，即其对结构和工艺变化的鲁棒性更好，降低二元材料由于某种材料厚度导致的相位相消的影响。
本发明授权一种光刻对准结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻对准结构，其特征在于，包括： 第一部分衬底和第二部分衬底； 所述第一部分衬底的厚度不等于所述第二部分衬底的厚度； 位于所述第一部分衬底一侧的硬掩膜涂层；所述硬掩膜涂层在所述第一部分衬底的正投影真包含于所述第一部分衬底。
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