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龙图腾网获悉晶澳(扬州)太阳能科技有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310016443.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池是由黄卓;陈斌;王玉林设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池。该制备方法包括：对硅基体进行双面抛光处理；硅基体的背面由内至外层叠形成第一隧穿氧化层、P+多晶硅层和激光阻挡层，P+多晶硅层上同步形成第一氧化硅层；激光去除第一区域的激光阻挡层和第一氧化硅层，第一区域与保留有激光阻挡层的第二区域交替排列；去除第一区域的第一隧穿氧化层和P+多晶硅层；在第一区域内控制形成与P+多晶硅层相隔离且交替排列的第二隧穿氧化层和层叠于第二隧穿氧化层的N+多晶硅层，对第一区域中与第二区域邻接的间隔区和硅基体的正面进行制绒处理；酸清洗去除第二区域上的激光阻挡层和第一氧化硅层。提高背接触太阳能电池的制备工艺稳定性。

本发明授权一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池制备方法，其特征在于，包括： 步骤a、对硅基体1进行双面抛光处理； 步骤b、在所述硅基体1的背面由内至外层叠形成第一隧穿氧化层2、P+多晶硅层3以及激光阻挡层4，其中，在形成所述P+多晶硅层3过程中，在所述P+多晶硅层3上同步形成第一氧化硅层31； 步骤c、通过激光去除所述硅基体1的背面的第一区域的所述激光阻挡层4和所述第一氧化硅层31，其中，所述第一区域与保留有所述激光阻挡层4和所述第一氧化硅层31的第二区域交替排列； 步骤d、通过碱液抛光去除第一区域的第一隧穿氧化层2和P+多晶硅层3； 步骤e、在所述硅基体1背面的第一区域内控制形成与所述第一隧穿氧化层2和所述P+多晶硅层3相隔离且交替排列的第二隧穿氧化层5和层叠于所述第二隧穿氧化层5上的N+多晶硅层6，并同步对所述第一区域中与所述第二区域邻接的间隔区7和所述硅基体1的正面进行制绒处理，以使所述间隔区7和所述硅基体正面形成绒面结构，其中，所述间隔区7用于隔离相邻的所述P+多晶硅层3和所述N+多晶硅层6； 步骤f、通过酸清洗去除所述第二区域上的所述激光阻挡层4和所述第一氧化硅层31。

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