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清华大学吴华强获国家专利权

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龙图腾网获悉清华大学申请的专利氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置和测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116106581B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211606264.2,技术领域涉及:G01Q60/24;该发明授权氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置和测试方法是由吴华强;孙雯;高滨;唐建石设计研发完成,并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置和测试方法在说明书摘要公布了:本发明提出了一种氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置以及测试方法,所述氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置包括聚焦离子束显微镜,所述聚焦离子束显微镜适于切割阻变器件形成阻变器件截面;原位芯片,所述原位芯片上形成有适于承载所述阻变器件的承载面;导电探针原子力显微镜,所述导电探针扫描所述阻变器件截面并根据电流分布确定所述导电细丝的位置;透射电子显微镜,所述透射电子显微镜适于对所述导电细丝的位置进行观测。由此,CAFM测试获得的电流分布结果与TEM测试获得的微观结构可以实现在同一阻变器件同一测试区域的严格对应,从而根据表征信息获得单根导电细丝的电阻值、电流值,以及对应的原子分辨率的微观晶体结构。

本发明授权氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置和测试方法在权利要求书中公布了:1.一种氧空位型阻变器件中导电细丝的测试装置,其特征在于,包括: 聚焦离子束显微镜,所述聚焦离子束显微镜适于切割阻变器件形成阻变器件截面,使所述阻变器件的上电极截面、阻变层截面和下电极截面暴露在同一平面内; 原位芯片,所述原位芯片上形成有适于承载所述阻变器件的承载面,所述承载面上设置有连接电极和测试电极; 导电探针原子力显微镜,所述导电探针原子力显微镜设置有适于容纳所述原位芯片的第一测试腔体,所述第一测试腔体内设置有测试平台,所述阻变器件、所述连接电极、所述测试电极和所述测试平台电连接,所述导电探针扫描所述阻变器件截面并根据电流分布确定所述导电细丝的位置; 透射电子显微镜,所述透射电子显微镜适于对所述导电细丝的位置进行观测,以获得所述导电细丝的微观结构; 还包括: 氧同位素载气系统,所述氧同位素载气系统包括载气源,所述载气源与所述第一测试腔体连通; 离子质谱仪,所述离子质谱仪根据氧同位素的位置标记氧离子的分布区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人清华大学,其通讯地址为:100084 北京市海淀区清华园1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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