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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116171036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111402935.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由于业笑;刘忠明;孔忠;陈龙阳设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决导电触点之间易相互接触发生短路的技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底内设置有多个间隔设置的有源区，衬底上覆盖有依次层叠的绝缘层和阻挡层；在阻挡层内形成多条间隔设置且沿第一方向延伸的第一沟槽，第一沟槽贯穿阻挡层；在第一沟槽内形成填充层，并在阻挡层和填充层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层内形成多条间隔设置且沿第二方向延伸的第二沟槽，第二沟槽暴露填充层；去除暴露在第二沟槽内的填充层和与填充层对应的绝缘层，形成接触孔。利用第一沟槽和第二沟槽形成接触孔，减少了接触孔之间连通，从而降低导电触点之间相接触发生短路的可能性。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内设置有多个间隔设置的有源区，所述衬底上覆盖有依次层叠的绝缘层和阻挡层； 在所述阻挡层内形成多条间隔设置的第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向延伸，且贯穿所述阻挡层； 在所述第一沟槽内形成填充层，并在所述阻挡层和所述填充层上形成第一掩膜层； 在所述第一掩膜层内形成多条间隔设置的第二沟槽，所述第二沟槽沿第二方向延伸，所述第二沟槽暴露所述填充层； 去除暴露在所述第二沟槽内的所述填充层，以及与所述填充层对应的所述绝缘层，形成接触孔，所述接触孔暴露所述有源区； 在所述阻挡层内形成多条间隔设置的第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向延伸，且贯穿所述阻挡层的步骤包括： 在所述阻挡层上形成依次层叠的第三掩膜层、第二掩膜层和第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层，在所述第二掩膜层内形成第三沟槽，所述第三沟槽沿第一方向延伸； 在所述第三沟槽的侧壁和槽底形成第一中间层，位于所述第三沟槽内的所述第一中间层围合成第一填充槽； 在所述第一填充槽内形成第一介质层； 去除部分所述第一中间层，形成多条间隔设置的第一刻蚀槽； 沿所述第一刻蚀槽刻蚀所述第三掩膜层，在所述第三掩膜层内形成第二刻蚀槽； 沿所述第二刻蚀槽刻蚀所述阻挡层，以在所述阻挡层内形成所述第一沟槽。

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