浜松光子学株式会社道垣内龙男获国家专利权
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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利光检测器和光拍分光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116195073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180063266.9,技术领域涉及:H10F77/00;该发明授权光检测器和光拍分光装置是由道垣内龙男;伊藤昭生;日高正洋;枝村忠孝设计研发完成,并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本光检测器和光拍分光装置在说明书摘要公布了:本发明的光检测器10具备:半导体基板11、以沿着光波导方向A延伸的方式形成在半导体基板11的主面11a上的台面部12、第1接触层13、第2接触层14、第1电极15、以及与第1接触层13和第1电极15电连接的空气桥配线16。在从与半导体基板11的主面11a垂直的方向观察的情况下,台面部12的在光波导方向A上的长度L1比台面部的在与光波导方向A垂直的方向上的长度L2长。空气桥配线16,从第1接触层13向与光波导方向A垂直的方向上的一侧引出,并架设在第1接触层13与第1电极15之间。
本发明授权光检测器和光拍分光装置在权利要求书中公布了:1.一种光检测器,其中, 具备: 半导体基板,其具有主面; 台面部,其包含通过子带间吸收而吸收检测光的吸收区域和输送被所述子带间吸收激发的电子的输送区域交替层叠而成的活性层,并以沿着光波导方向延伸的方式形成在所述半导体基板的所述主面上; 第1接触层,其形成在所述台面部的与所述半导体基板为相反侧的表面上; 第2接触层,其形成在所述半导体基板的所述主面与所述台面部之间; 第1电极,其形成在所述半导体基板的所述主面上;和 空气桥配线,其与所述第1接触层和所述第1电极电连接, 在从与所述半导体基板的所述主面垂直的方向观察的情况下,所述台面部的在所述光波导方向上的长度,比所述台面部的在与所述光波导方向垂直的方向上的长度长, 所述空气桥配线,从所述第1接触层向与所述光波导方向垂直的所述方向上的一侧引出,并架设在所述第1接触层与所述第1电极之间, 所述空气桥配线具有在空中延伸的桥部, 所述桥部的在所述光波导方向上的长度,比所述桥部的在与所述光波导方向垂直的所述方向上的长度长。
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