上海华力集成电路制造有限公司罗志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310288259.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法是由罗志刚设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成一堆叠膜层，堆叠膜层的最上层为硬掩模氮化硅层；步骤S2，对硬掩模氮化硅层进行第一预处理，以提高硬掩模氮化硅层的氮含量；步骤S3，对硬掩模氮化硅层进行第二预处理，以在硬掩模氮化硅层的上部形成钝化层薄膜。通过本申请，位于器件高电阻区的堆叠膜层未出现针孔缺陷。
本发明授权改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善器件高电阻区堆叠膜层的针孔缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S1，提供一衬底，在所述衬底上形成一堆叠膜层，所述堆叠膜层的最上层为硬掩模氮化硅层； 步骤S2，对所述硬掩模氮化硅层进行第一预处理，所述第一预处理使用氮气对所述硬掩模氮化硅层进行低含量的氮掺杂，以提高所述硬掩模氮化硅层的氮含量； 步骤S3，对所述硬掩模氮化硅层进行第二预处理，所述第二预处理使用一氧化二氮对所述硬掩模氮化硅层的表面进行氧化处理，以在所述硬掩模氮化硅层的上部形成钝化层薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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