西南科技大学余家欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116230127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211674934.4,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法是由余家欣;叶嘉豪;倪磊;廖晓波;赖建平;张亚锋;何洪途设计研发完成,并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法,包括:基于普雷斯顿方程,分析抛光接触区速度分布和接触应力分布,得到抛光材料去除函数;采用观察装置定时定量的采集与抛光区接触面积相匹配的图像数据;采用Unet卷积神经网络分割算法对上述图像数据进行标签、训练和测试数据集制作,训练、测试数据集,计算接触面积;基于下压量、抛光时间与接触面积的数学关系得到抛光垫磨损量的补偿函数;将补偿函数代入抛光材料去除函数中。本发明提供一种抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法,能在一定程度上缩短气囊抛光垫使用寿命和更换频次,能在一定程度上缩短产品加工时间,提升效率,为气囊抛光技术发展和应用推广提供参考。
本发明授权抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法在权利要求书中公布了:1.一种抛光垫磨损导致材料去除率不稳定的快速补偿方法,其特征在于,包括: 步骤一,通过赫兹接触理论建立抛光接触区的最大应力计算表达式,并基于弹性接触理论,以椭圆接触区的应力分布规则建立了接触区的应力分布计算表达式; 步骤二,基于抛光接触几何模型建立抛光接触区的速度分布模型; 步骤三,基于步骤一的接触区应力分布模型,步骤二的接触区速度分布模型和普雷斯顿方程得到抛光材料去除函数; 步骤四,采用观察装置定时定量的采集与抛光区接触面积相匹配的图像数据; 步骤五,采用Unet卷积神经网络分割算法对步骤四中的图像数据依次进行标签、训练和测试数据集制作,训练和测试数据集,接触面积计算,以获得抛光接触区的接触面积S随抛光工艺时长t的变化规律; 步骤六,基于下压量与接触面积、抛光工艺时长与接触面积的数学关系得到抛光垫磨损量的数学表达式,即抛光垫磨损补偿函数; 步骤七,将步骤六中的补偿函数代入步骤三的抛光材料去除函数中,从而建立了气囊抛光材料去除补偿模型,以在抛光过程中,实时对下压量进行补偿,保证气囊抛光材料去除的稳定性; 在步骤二、三中,所述抛光接触区速度分布获取方式为: S20,基于气囊抛光接触几何模型,在气囊抛光接触区,设Ax,y为接触区内任意一点,则A点的速度VA为: S21,基于几何关系,可知: |BP|=|BD|cosθ=|BO1|+|O1D|cosθ; 其中,|O1D|=tanθ|OO1|=tanθR-d; 则: |BP|=|BD|cosθ=|BO1|+|O1D|cosθ=|y|+tanθR-dcosθ; 故,A点的速度公式表示为: 其中,n为抛光主轴转速; S22,基于普雷斯顿方程,抛光材料去除量MRR公式为:MRR=K*P*V*Δt 其中,K为普雷斯顿系数,P为抛光接触区接触应力分布,V为抛光接触区速度分布,Δt为抛光头在工件表面的驻留时间; S23,将S21中得到的速度公式、S11中得到的抛光接触区应力分布公式以及Δt代入至S22中的抛光材料去除函数中: 其中,ω为抛光主轴转速,B为过接触区任意点A作与x轴的垂线的交点,O1为气囊中心,D为气囊主轴与x轴的交点,P为过A点作垂直于气囊主轴垂线的交点,O2为接触区中心,θ为抛光主轴与工件法向的夹角; 在步骤六中,所述抛光垫磨损量的补偿函数获取方式为: S60,接触区接触面积S: S=πab=πfdgd 其中,fd和gd分别可由接触区长半轴和短半轴与下压量的关系获得; a=fd=1.63095+5.23757d b=gd=1.63095+5.23757d S61,所述抛光垫磨损量为: 结合步骤五所述接触面积与抛光垫磨损时间的关系及上述表达式,所述抛光垫磨损量的补偿函数可表达为: d=dt=d0+0.981+0.0026tt×10-3; 在步骤六中,将补偿函数d代入步骤三的抛光材料去除函数,则有: 其中,d0为初始时刻的气囊抛光头下压量,t为抛光工艺时长。
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