中国人民解放军国防科技大学胡理想获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种正电子捕获系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116386927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310293167.0，技术领域涉及：G21K1/00；该发明授权一种正电子捕获系统和方法是由胡理想;余同普;曹越设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种正电子捕获系统和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种正电子捕获系统和方法。该系统包括：捕获光源和磁场偏转装置；捕获光源用于形成捕获电磁场，使得进入捕获电磁场的带电粒子束的径向坐标和径向动量减小并被限制在捕获区域；捕获光源为左旋圆偏振拉盖尔高斯激光或者矢量偏振光束；捕获电磁场中的径向电场和纵向电场存在π2的相位差；纵向电场中包括多个交替的纵向加速电场和纵向减速电场；磁场偏转装置设置在捕获区域前方，用于对被捕获的带电粒子束中的正电子和电子进行分离以得到正电子束。
本发明授权一种正电子捕获系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种正电子捕获系统，其特征在于，所述系统包括： 捕获光源和磁场偏转装置； 所述捕获光源用于形成捕获电磁场，使得进入所述捕获电磁场的带电粒子束的径向坐标和径向动量减小并被限制在捕获区域；所述捕获光源为左旋圆偏振拉盖尔高斯激光或者矢量偏振光束；所述捕获电磁场中的径向电场和纵向电场存在π2的相位差；所述纵向电场中包括多个交替的纵向加速电场和纵向减速电场； 所述磁场偏转装置设置在所述捕获区域前方，用于对被捕获的带电粒子束中的正电子和电子进行分离以得到正电子束。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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