福建兆元光电有限公司马昆旺获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310234725.6，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法是由马昆旺;马野;邹声斌;贺卫群;刘恒山设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件以及半导体显示制造技术领域，尤其涉及一种一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法。该制备方法，在AlN衬底上依次生长AlGaNGaN缓冲层、高温非掺杂型UGaN层、高温掺杂型NGaN层、N‑AlGaN层、多周期Si掺杂N‑GaN层、超晶格InGaNGaN应力释放层、U型电子减速层、多量子阱有源区层、GaNAly1Ga1－y1N层、Mg掺杂第一p‑GaN层、p‑AlGaN层和第二p‑GaN层；通过在应力释放层及多量子阱有源区层之间加了层U型无掺Si电子减速层，提升内量子阱发光效率以及绿光外延结构的ESD。
本发明授权一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法，其特征在于，在AlN衬底上依次生长AlGaNGaN缓冲层、高温非掺杂型UGaN层、高温掺杂型NGaN层、N-AlGaN层、多周期Si掺杂N-GaN层、超晶格InGaNGaN应力释放层、U型电子减速层、多量子阱有源区层、GaNAly1Ga1－y1N层、Mg掺杂第一p-GaN层、p-AlGaN层和第二p-GaN层； 所述U型电子减速层为超晶格GaNInGaNGaNAlGaN电子减速层，所述U型电子减速层包括1~8组由InaGa1-aN势阱层和AlxGa1-xN势垒层层叠设置而成的超晶格GaNInGaNGaNAlGaN叠层。
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