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龙图腾网获悉中国工程物理研究院电子工程研究所申请的专利一种石英摆片结构及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116750976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310651805.1，技术领域涉及：C03C15/00；该发明授权一种石英摆片结构及其加工方法是由张照云;赵宝林;李枚;王支荣;熊壮;王颉;沈朝阳;刘振华;王旭光;郭建宏;魏云川设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种石英摆片结构及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，公开了一种石英摆片结构及其加工方法。该石英摆片结构包括悬臂梁、质量块、边框以及多个凸台。加工方法包括以下步骤：先湿法刻蚀多个凸台以外的区域的熔石英基片形成多个凸台；其次，根据石英摆片结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；再次，在熔石英基片上的正反两面制备熔石英刻蚀掩膜层；然后，刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片，形成悬臂梁；最后，湿法刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。加工形成的石英摆片结构，在保证悬臂梁薄且侧壁陡峭的基础上，还能大幅减小边框与质量块之间的间距，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。

本发明授权一种石英摆片结构及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种石英摆片结构的加工方法，所述石英摆片结构包括悬臂梁、质量块、边框以及多个凸台，所述多个凸台设于所述边框上，所述质量块通过所述悬臂梁与所述边框连接，所述质量块与所述边框之间具有间隙，其特征在于，包括以下步骤： S01：清洗熔石英基片，在所述熔石英基片的正反两面制备熔石英刻蚀掩膜层； S02：在所述熔石英刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶，光刻所述多个凸台以外的区域露出熔石英刻蚀掩膜层； S03：去除所述多个凸台以外的区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片； S04：使用刻蚀液刻蚀所述多个凸台以外的区域的熔石英基片形成所述多个凸台； S05：去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层； S06：根据石英摆片结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在所述熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道，所述切割通道的宽度小于5μm，所述切割通道包括所述质量块与所述边框之间的第一切割通道； S07：清洗所述熔石英基片，在熔石英基片正反两面制备熔石英刻蚀掩膜层； S08：在所述熔石英刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶，光刻悬臂梁区域露出熔石英刻蚀掩膜层； S09：去除所述悬臂梁区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片； S10：使用刻蚀液刻蚀所述悬臂梁区域的熔石英基片，形成所述悬臂梁； S11：去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层； S12：使用刻蚀液刻蚀熔石英基片，使得所述第一切割通道的宽度变大，分离所述质量块与所述边框。

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