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龙图腾网获悉厦门宏芯创电子有限公司申请的专利高带宽存储器的封装方法、系统及计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117524959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311474461.8，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权高带宽存储器的封装方法、系统及计算机可读存储介质是由赖振楠;吴奕盛;张兴华;刘清水设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本高带宽存储器的封装方法、系统及计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高带宽存储器的封装方法、系统及计算机可读存储介质，所述方法包括：a将第二晶圆移动至第一晶圆上方，且所述第一晶圆及所述第二晶圆均位于X光发生器和X光传感器之间；b通过X光发生器和X光传感器获取第一晶圆及第二晶圆的第一X光图像；c当第一X光图像与模板图像的差异超出预设阈值时，调整第二晶圆的位置并返回步骤b，以及当第一X光图像与模板图像的差异在预设阈值范围内时，停止调整第二晶圆的位置。本发明通过在高带宽存储器封装过程中使用X光发生器和X光传感器形成X光图像，并将形成的X光图像与模板图像比对调整晶圆的位置，从而可提高高带宽存储器中层叠晶片的对位精度。

本发明授权高带宽存储器的封装方法、系统及计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种高带宽存储器的封装方法，其特征在于，所述方法包括： a将第二晶圆移动至第一晶圆上方，且所述第一晶圆及所述第二晶圆均位于X光发生器和X光传感器之间；所述第一晶圆和第二晶圆的主体部分由X射线可穿透的半导体材料构成，且第一裸晶和第二裸晶上分别具有若干硅通孔，每一硅通孔内填充有X光无法穿透的导电材料； b通过所述X光发生器和所述X光传感器获取所述第一晶圆及所述第二晶圆的第一X光图像； c当所述第一X光图像与模板图像的差异超出预设阈值时，调整所述第二晶圆的位置并返回步骤b，以及当所述第一X光图像与模板图像的差异在预设阈值范围内时，停止调整第二晶圆的位置； 所述步骤a之前还包括： 将所述第一晶圆移动到所述X光发生器和X光传感器之间； 通过所述X光发生器和X光传感器获取第一晶圆上若干区域的第二X光图像，并将所述第二X光图像存储为模板图像，且每一所述区域包括至少一个完整的第一裸晶； 所述步骤c之后还包括：在完成第二晶圆的键合后，将另一晶圆移动到第二晶圆上方，并通过X光发生器和X光传感器获得X光图像，再根据X光图像与第一X光图像进行比对调整所述另一晶圆的位置。

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