闽南师范大学柯少颖获国家专利权
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龙图腾网获悉闽南师范大学申请的专利利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117568750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111168.9，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法是由柯少颖;陈少鹏;季天;周锦荣;黄志伟设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法，包括以下步骤：1Pd薄膜的制备；2利用Pd薄膜和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长。本发明采用常见的设备，和常规简单的方法生长出具有量子点结构的PdSe2。
本发明授权利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用磁控溅射和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长的方法，其特征在于包括以下步骤： 1Pd薄膜的制备，具体方法如下： 1将SiO2片表面清洗甩干后，放入高真空薄膜沉积系统，抽真空使溅射腔体真空度达到1×10-4Pa； 2经步骤1处理后调节温度控制系统对样品托盘进行升温处理，温度控制在300℃~600℃； 3经步骤2处理后等待温度稳定在设定值且腔体真空度小于1×10-4Pa，向溅射腔体通入纯度为5N的Ar气，然后通过调节抽真空的速率，使得腔体压强稳定在0.5-0.8Pa； 4通过设置直流溅射电源功率与样品托盘的旋转速度溅射Pd薄膜，其中功率设置为20W，旋转速度设置为5-10rpmmin； 5通过保温增强Pd薄膜的致密性，保温时间设置为10-30min； 2利用Pd薄膜和双温区管式炉实现PdSe2量子点生长，具体方法如下： 1将生长有Pd的SiO2片放置在石英片上送入双温区管式炉中，置于下温区; 2将Se撒入另一石英片中，置于双温区管式炉上温区，其中Se粉质量为1g-3g; 3先将管式炉洗气三次，再升温Se化，同时通入纯度为5N的Ar气作为载气，即实现PdSe2量子点生长，其中Se化条件是下温区和上温区均以10℃min升温到450℃，保温时间设置为5h，且Ar气流量为100sccm。
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