武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室孔祥健获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室申请的专利波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117639937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210968683.4，技术领域涉及：H04B10/2507；该发明授权波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质是由孔祥健;凌九红;陈宏刚;张博;罗勇;马卫东设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质。其中，所述方法包括：获取所述波对应的中心波长；其中，所述中心波长表征满足第一预设条件的所述波覆盖的光谱范围的中心对应的波长；确定所述中心波长的第一偏移量；在所述第一偏移量满足第二预设条件的情况下，确定所述波的第一补偿参数；基于所述第一补偿参数确定所述中心波长的第二偏移量；根据所述第二偏移量对所述波进行补偿。通过计算出基于中心波长对应的第一偏移量，根据所述第一偏移量对芯片精准筛选，并根据所述第一补偿参数和所述中心波长确定所述中心波长的第二偏移量，基于所述第二偏移量对所述波进行补偿，在保证指标合格的同时，进一步提升了芯片的有效利用率。
本发明授权波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种波的补偿方法，其特征在于，包括： 获取所述波对应的中心波长；其中，所述中心波长表征满足第一预设条件的所述波覆盖的光谱范围的中心对应的波长； 确定所述中心波长的第一偏移量； 在所述第一偏移量满足第二预设条件的情况下，确定所述波的第一补偿参数； 基于所述第一补偿参数确定所述中心波长的第二偏移量； 根据所述第二偏移量对所述波进行补偿。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉光迅科技股份有限公司;湖北光谷实验室，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区流苏南路1号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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