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重庆云潼科技有限公司黄晓意获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种三相全桥MOS模块的动态性能测试电路、系统及模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223637693U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422943726.0,技术领域涉及:G01R31/52;该实用新型一种三相全桥MOS模块的动态性能测试电路、系统及模块是由黄晓意;蒋开悦;胡绍国;廖光朝设计研发完成,并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

一种三相全桥MOS模块的动态性能测试电路、系统及模块在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种三相全桥MOS模块的动态性能测试电路、系统及模块,该动态性能测试电路被配置有开关U1、开关U2、开关U3、开关U4、开关U5、开关U6、电感L1和电感L2。本实用新型的动态性能测试电路配置开关U1‑开关U6,通过控制开关U1‑开关U6的导通、截止,构建成用于双脉冲测试的电路回路、短路测试的电路回路,实现了同一电路既能够进行双脉冲测试,又能够进行短路测试,有效地降低了测试成本。

本实用新型一种三相全桥MOS模块的动态性能测试电路、系统及模块在权利要求书中公布了:1.一种三相全桥MOS模块的动态性能测试电路,其特征在于,该电路被配置有开关U1、开关U2、开关U3、开关U4、开关U5、开关U6、电感L1和电感L2; 所述开关U1的一端作为电路的第一连接端,用于接三相全桥上桥MOS管Q1、MOS管Q3和MOS管Q5的第一端及激励接入;另一端接所述开关U4的一端,并作为电路的第二连接端,用于接三相全桥上桥MOS管Q1的第三端;所述开关U4的另一端作为电路的第三连接端,用于接三相全桥下桥MOS管Q2、MOS管Q4和MOS管Q6的第三端及激励接入; 所述开关U2的一端接所述第一连接端,另一端经所述电感L1接所述开关U3的一端、所述开关U5的一端及所述开关U6的一端; 所述开关U3接所述电感L1的一端还接所述第二连接端,所述开关U3的另一端接所述电感L2的一端,所述电感L2的另一端接所述第三连接端; 所述开关U5的另一端作为电路的第四连接端,用于接三相全桥上桥MOS管Q3的第三端; 所述开关U6的另一端作为电路的第五连接端,用于接三相全桥上桥MOS管Q5的第三端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆云潼科技有限公司,其通讯地址为:400000 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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