吉光半导体科技有限公司陈泳屹获国家专利权
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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利可寻址半导体激光器阵列及激光发射器电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223638786U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423311724.6，技术领域涉及：H01S5/042；该实用新型可寻址半导体激光器阵列及激光发射器电路是由陈泳屹;徐岩;许琳琳;葛济铭;袁雨;张德晓;彭航宇;佟存柱设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本可寻址半导体激光器阵列及激光发射器电路在说明书摘要公布了：本申请涉及激光设备技术领域，尤其涉及一种可寻址半导体激光器阵列及激光发射器电路。可寻址半导体激光器阵列包括衬底、多个激光单元以及均设于所述衬底下表面的阴极和阳极。多个激光单元呈阵列排布，且均位于衬底的上表面，每个激光单元具有P型接触电极和N型接触电极。阳极与P型接触电极电连接，阴极与N型接触电极电连接。通过将多个激光单元均位于衬底的上表面、且将阴极和阳极均设置在衬底的下表面，这样，可以避免阳极或阴极的走线结构遮挡光线，阴极和阳极可以在衬底的下表面灵活布线，以根据实际需要规划电路。
本实用新型可寻址半导体激光器阵列及激光发射器电路在权利要求书中公布了：1.一种可寻址半导体激光器阵列100，其特征在于，包括： 衬底110； 多个激光单元120，多个所述激光单元120呈阵列排布，且均位于所述衬底110的上表面，每个所述激光单元120具有P型接触电极121和N型接触电极122； 均设于所述衬底110下表面的阴极130和阳极140，所述阳极140与所述P型接触电极121电连接，所述阴极130与所述N型接触电极122电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉光半导体科技有限公司，其通讯地址为：130000 吉林省长春市经济技术开发区淄博路1783-16号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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