吉光半导体科技有限公司王小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利多结VCSEL激光器及激光雷达系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223638788U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423316381.2，技术领域涉及：H01S5/183；该实用新型多结VCSEL激光器及激光雷达系统是由王小龙;高士涵;佟存柱;于舒睿设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本多结VCSEL激光器及激光雷达系统在说明书摘要公布了：本申请属于半导体激光器技术领域，涉及一种多结VCSEL激光器及激光雷达系统，包括衬底和外延单元，外延单元包括第一反射镜、第二反射镜及包括多个增益单元体的增益层叠结构，第一反射镜生长在衬底的顶面上；第二反射镜与第一反射镜之间共同围成反射腔；增益层叠结构位于反射腔、顶部生长有第二反射镜；第一反射镜包括交替外延生长的第一半导体层及经第二半导体层部分氧化后形成的第一氧化层，第二反射镜包括交替外延生长的第三半导体层及经第四半导体层至少部分氧化后形成的第二氧化层，第一半导体层和第三半导体层的折射率分别大于第一氧化层和第二氧化层的折射率。本申请可同时满足高功率、低发散角及高调制速度需求。
本实用新型多结VCSEL激光器及激光雷达系统在权利要求书中公布了：1.一种多结VCSEL激光器，其特征在于，所述多结VCSEL激光器包括衬底和至少一个外延单元，各所述外延单元包括： 第一反射镜，通过外延生长工艺生长在所述衬底的顶面上； 第二反射镜，与所述第一反射镜之间共同围成反射腔； 增益层叠结构，位于所述反射腔、顶部生长有所述第二反射镜；所述增益层叠结构包括多个增益单元体；多个所述增益单元体通过隧道结、沿生长方向串联； 其中，所述第一反射镜包括交替外延生长的第一半导体层及经第二半导体层部分氧化后形成的第一氧化层，所述第一半导体层的折射率大于所述第一氧化层的折射率； 所述第二反射镜包括交替外延生长的第三半导体层及经第四半导体层至少部分氧化后形成的第二氧化层，所述第三半导体层的折射率大于所述第二氧化层的折射率。
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