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龙图腾网获悉天津为元电子科技有限公司申请的专利一种分段抑制启动电流的电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223638980U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422860380.8，技术领域涉及：H02H9/02；该实用新型一种分段抑制启动电流的电路是由曲海英;陈亚立;韩丰娟设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分段抑制启动电流的电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种分段抑制启动电流的电路，包括多个电路单元P1、P2、P3......Pn，多个电路单元P1、P2、P3......Pn分别由负载C1......Cn、场效应管VM1......VMn、延时充电电阻R1......Rn、延时电容Cd1......Cdn、栅极信号检测电阻Rp11......Rpn1和Rp12......Rpn2；本实用新型，基于MOSFET开关管和延时网络电路即MOSFET抑制电路的方法进行优化，针对直流供电场合，实现浪涌抑制可控，MOSFET可靠，不影响负载电路启动的目的，避免多负载混合在一起，无法兼顾的矛盾。

本实用新型一种分段抑制启动电流的电路在权利要求书中公布了：1.一种分段抑制启动电流的电路，包括多个电路单元P1、P2、P3......Pn，其特征在于，多个电路单元P1、P2、P3......Pn分别由负载C1......Cn、场效应管VM1......VMn、延时充电电阻R1......Rn、延时电容Cd1......Cdn、栅极信号检测电阻Rp11......Rpn1和Rp12......Rpn2、信号比较器N1......Nn、导通开关VT1......VTn组成； 其中，电路单元P1中，电阻R1的一端耦接电源VIN，另一端经延时电容Cd1耦接在场效应管VM1的源极，所述场效应管VM1的漏极经延时电容C1耦接在电源VIN上，所述电阻R1经信号检测电阻Rp11、Rp12、信号比较器N1耦接在导通开关VT1的基极上； 电路单元P2中，电阻R2的一端耦接电源VIN，另一端经导通开关VT1耦接延时电容Cd2，所述延时电容Cd2耦接在场效应管VM2的源极处，所述场效应管的VM2的栅极经栅极信号检测电阻Rp21、Rp22、信号比较器N2耦接在导通开关VT2的基极上； 电路单元Pn中，电阻Rn的一端耦接电源VIN，另一端经导通开关VTN-1耦接延时电容Cdn，所述延时电容Cdn耦接在场效应管VMn的源极处，所述场效应管的VMn的栅极经栅极信号检测电阻Rpn1、Rpn2、信号比较器Nn耦接在导通开关VTN-1的基极上。

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