重庆云潼科技有限公司李俊辉获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种驱动电路及H桥电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639159U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422878462.5，技术领域涉及：H02M1/08；该实用新型一种驱动电路及H桥电路是由李俊辉;廖光朝;张小兵;胡绍国设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种驱动电路及H桥电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种驱动电路及H桥电路，该驱动电路被配置有电容C3、电阻R5、二极管D1、三极管T1和电阻R7，所述电容C3的第一极板接所述电阻R5的一端，并作为驱动电路的第一连接端，用于驱动信号接入；所述电容C3的第二极板接所述三极管T1的第二端和所述二极管D1的阴极，所述电阻R5的另一端接所述二极管D1的阳极和所述三极管T1的第三端，并作为驱动电路的第二连接端，用于接MOS管的控制端；所述三极管T1的第一端作为驱动电路的第三连接端，用于接MOS管的电源端。本实用新型提供驱动电路配置电容在控制MOS管导通状态下储能，在控制MOS管关断状态下释放所储电能使三极管T1导通，实现了被驱动的MOS管快速关断。
本实用新型一种驱动电路及H桥电路在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路，其特征在于，该驱动电路被配置有电容C3、电阻R5、二极管D1、三极管T1和电阻R7，所述电容C3的第一极板接所述电阻R5的一端，并作为驱动电路的第一连接端，用于驱动信号接入；所述电容C3的第二极板接所述三极管T1的第二端和所述二极管D1的阴极，所述电阻R5的另一端接所述二极管D1的阳极和所述三极管T1的第三端，并作为驱动电路的第二连接端，用于接MOS管的控制端；所述三极管T1的第一端作为驱动电路的第三连接端，用于接MOS管的电源端。
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