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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111025596.7，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法是由诸葛飞;鹿文博;胡令祥设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法，所述光电忆阻器包括底电极层、顶电极层以及位于两者之间的氧化物层，其中氧化物层包括富氧层和缺氧层，缺氧层与顶电极层相邻，富氧层与底电极层相邻，所述方法为通过顶电极层输入光信号，所述方法包括所述光电忆阻器通过光信号获得突触的短程增强模式和短程抑制模式；在所述突触的短程增强模式下，所述光信号为可见光或红外光；在所述突触的短程抑制模式下，所述光信号为紫外光。该方法通过改变照射顶电极层的光信号能够同时实现突触短程增强和抑制。

本发明授权一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法，其特征在于，所述光电忆阻器包括底电极层、顶电极层以及位于两者之间的氧化物层，其中氧化物层包括富氧层和缺氧层，缺氧层与顶电极层相邻，富氧层与底电极层相邻，所述方法为通过顶电极层输入光信号，所述方法包括所述光电忆阻器通过光信号获得突触的短程增强模式和短程抑制模式； 在所述突触的短程增强模式下，所述光信号为可见光或红外光双脉冲；当可见光或红外光双脉冲照射时，缺氧层氧化物半导体发生以中性氧空位电离为主的带间激发，产生的光生电子激发到导带，成为自由电子，随着光照时间的延长，器件电流持续增大，器件表现出短程增强功能； 在所述突触的短程抑制模式下，所述光信号为紫外光双脉冲；当紫外光双脉冲照射时，富氧层和缺氧层氧化物半导体以本征激发为主，产生自由电子，器件电流增大，然而随着光照时间的延长，自由电子会增大缺氧层中的电离氧空位的复合几率，导致自由电子减少，器件电流又逐渐降低，器件表现出短程抑制功能； 所述的顶电极层的材料为金属、导电氧化物、导电氮化物和导电碳材料中的一种或多种。

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