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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有不对称切割布局的自对准栅极隔离获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114097093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080050787.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权具有不对称切割布局的自对准栅极隔离是由谢瑞龙;C.拉登斯;程慷果;V.巴斯克设计研发完成，并于2020-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有不对称切割布局的自对准栅极隔离在说明书摘要公布了：一种形成半导体结构的方法，包括在衬底之上形成鳍状物，在衬底之上形成围绕鳍状物的浅沟槽隔离区域，以及形成为纳米片场效应晶体管提供沟道的纳米片堆叠体。该方法还包括在形成于第一鳍状物上的第一纳米片堆叠体的侧壁和顶表面的一部分之上形成沟道保护衬垫，该沟道保护衬垫进一步形成在从第一纳米片堆叠体的侧壁向形成于第二鳍状物上的第二纳米片堆叠体延伸的浅沟槽隔离区域的一部分之上。该方法还包括形成围绕纳米片堆叠体的暴露部分的栅极堆叠体，在沟道保护衬垫之上形成不对称自对准栅极隔离结构，以及在第三鳍状物和第四鳍状物之间的浅沟槽隔离区域的一部分之上形成对称自对准栅极隔离结构。

本发明授权具有不对称切割布局的自对准栅极隔离在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 在衬底的顶表面之上形成多个鳍状物； 在所述衬底的所述顶表面之上形成围绕所述多个鳍状物的浅沟槽隔离区域； 在所述多个鳍状物之上形成沟道材料的多个纳米片堆叠体，所述多个纳米片堆叠体为一个或多个纳米片场效应晶体管提供沟道； 在形成于所述多个鳍状物中的第一鳍状物之上的所述多个纳米片堆叠体中的第一纳米片堆叠体的侧壁和顶表面的至少一部分之上形成沟道保护衬垫，所述沟道保护衬垫进一步形成在从所述第一纳米片堆叠体的侧壁的部分朝向形成于所述多个鳍状物中的第二鳍状物之上的所述多个纳米片堆叠体中的第二纳米片堆叠体延伸的所述浅沟槽隔离区域的一部分之上； 形成多个栅极堆叠体，所述多个栅极堆叠体围绕所述多个纳米片堆叠体的被所述沟道保护衬垫暴露的部分； 在所述沟道保护衬垫之上形成至少一个不对称自对准栅极隔离结构；以及在所述浅沟槽隔离区域的在所述多个鳍状物中的第三鳍状物与所述多个鳍状物中的第四鳍状物之间的部分之上形成至少一个对称自对准栅极隔离结构。

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