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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192785.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法是由侯斌;马晓华;贾富春;陈孝升;杨凌;张濛;武玫;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET，包括n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3漂移层、p型金刚石基区、n+源区、源电极、栅电极和漏电极，其中，漏电极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3漂移层、p型金刚石基区和n+源区自下而上依次设置；n+源区的上表面开设有栅槽，栅槽延伸至n‑‑Ga2O3漂移层的上表面或内部；栅槽的内部涂覆有栅介质层，栅电极设置在栅槽内部且被栅介质层包裹；源电极设置在n+源区上表面除n+源区以外的区域；n‑‑Ga2O3漂移层的掺杂浓度小于n+‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度。本发明采用p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成p型基区，可以增强MOSFET器件的耐压性、减小反向漏电流、改善导热性能，提高器件的可靠性。

本发明授权基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET，其特征在于，包括n+‑Ga2O3衬底层1、n‑‑Ga2O3漂移层2、p型金刚石基区3、n+源区4、源电极5、栅电极6和漏电极7，其中，所述漏电极7、所述n+‑Ga2O3衬底层1、所述n‑‑Ga2O3漂移层2、所述p型金刚石基区3和所述n+源区4自下而上依次设置； 所述n+源区4的上表面开设有栅槽8，所述栅槽8延伸至所述n‑‑Ga2O3漂移层2的上表面或内部；所述栅槽8的内部涂覆有栅介质层9，所述栅电极6设置在所述栅槽8内部且被所述栅介质层9包裹；所述源电极5设置在所述n+源区4上表面除所述栅槽8以外的区域； 所述n‑‑Ga2O3漂移层2的掺杂浓度小于所述n+‑Ga2O3衬底层1的掺杂浓度； 所述p型金刚石基区3为硼掺杂金刚石材料，掺杂浓度为1016~1018cm‑3，所述p型金刚石基区3的厚度为1~2μm； 所述p型金刚石基区3的制备过程为： 利用微波等离子体化学气相沉积工艺，在所述n‑‑Ga2O3漂移层2的上表面制备硼掺杂的p型金刚石外延层，形成p型金刚石基区3。

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