三菱瓦斯化学株式会社大松祯获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱瓦斯化学株式会社申请的专利光刻用组合物和图案形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115053183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012942.X，技术领域涉及：G03F7/11；该发明授权光刻用组合物和图案形成方法是由大松祯;松本正裕;佐藤隆;越后雅敏设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻用组合物和图案形成方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供：能形成曝光灵敏度优异的图案、且可以得到与抗蚀层接触的膜、下层膜的光刻用组合物等。前述目的可以通过前述光刻用组合物而实现，所述光刻用组合物包含具有选自由碘、碲和氟组成的组中的至少1种元素的化合物、或包含具有源自前述化合物的结构单元的树脂，前述化合物中的前述原子的总质量为15质量％以上且75质量％以下。
本发明授权光刻用组合物和图案形成方法在权利要求书中公布了：1.一种下层膜，其由光刻用组合物形成，所述光刻用组合物包含具有选自由碘、碲和氟组成的组中的至少1种元素的化合物、或包含具有源自所述化合物的结构单元的树脂，其中所述化合物由通式AM1表示，式AM1中，R1表示氢原子、甲基、或卤素基团，R2各自独立地表示氢原子、碳数1～20的直链状的有机基团、碳数3～20的支链状的有机基团、或碳数3～20的环状的有机基团，A表示碳数1～30的有机基团，n1表示0或1，n2表示1～20的整数，其中，所述下层膜用于抗蚀图案形成方法，其包括如下工序： 下层膜形成工序，使用所述光刻用组合物在基板上形成所述下层膜； 光致抗蚀膜形成工序，在通过该下层膜形成工序形成的下层膜上形成至少一层光致抗蚀膜；及对通过该光致抗蚀膜形成工序而形成的光致抗蚀膜的规定区域照射辐射线，进行显影的工序。
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