华虹半导体(无锡)有限公司卢光远获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210737630.1，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由卢光远;陈天;肖莉;王黎;陈华伦设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一阱区及与其相邻设置的第二阱区，所述第一阱区内形成有体区；于所述体区内形成源区；于所述第二阱区内形成漏区，并于所述漏区形成至少一个沟槽型的肖特基二极管；于所述半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构的一侧延伸至部分所述体区的表面，且与所述源区相贴设置，另一侧延伸至部分所述第二阱区的表面，且与所述漏区之间具有一预设距离。通过本发明解决了现有LDMOS器件ESD能力差的问题。
本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一阱区及与其相邻设置的第二阱区，所述第一阱区内形成有体区； 于所述体区内形成源区； 于所述第二阱区内形成漏区，并于所述漏区形成至少一个沟槽型的肖特基二极管；其中，沟槽侧壁的势垒金属层与漏区之间形成欧姆接触，而沟槽底部的势垒金属层与第二阱区之间形成势垒接触；或者，于所述第二阱区内形成缓冲区，所述漏区及沟槽型的所述肖特基二极管设于所述缓冲区内，沟槽侧壁的势垒金属层与漏区之间形成欧姆接触，而沟槽底部的势垒金属层与缓冲区之间形成势垒接触； 于所述半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构的一侧延伸至部分所述体区的表面，且与所述源区相贴设置，另一侧延伸至部分所述第二阱区的表面，且与所述漏区之间具有一预设距离。
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