宁波芯健半导体有限公司彭祎获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波芯健半导体有限公司申请的专利一种晶圆级芯片的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210647706.1，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种晶圆级芯片的封装方法是由彭祎;任超;方梁洪;刘凤设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级芯片的封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片技术领域，本发明公开了一种晶圆级芯片的封装方法。本发明提供的该封装方法通过先制备待电镀晶圆；在该待电镀晶圆的第一面制备缓冲膜；该第一面为远离该待电镀晶圆的电镀种子层的面；并将该待电镀晶圆与电镀治具卡接，该缓冲膜能够贴附在该电镀治具上；对该待电镀晶圆进行电镀处理，在该待电镀晶圆上形成布线层；去除该缓冲膜；对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆；后续再通过对封装后晶圆进行分割等处理，即可得到单颗晶圆。该封装方法可有效提高薄片晶圆在电镀过程中的电镀质量，保证后续封装步骤的质量。
本发明授权一种晶圆级芯片的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括： 制备溅射前晶圆； 将所述溅射前晶圆的第一面与支撑件连接；所述支撑件的径向尺寸与所述溅射前晶圆相同；所述支撑件的电阻率在1欧姆·厘米～100欧姆·厘米，所述支撑件的翘曲小于50微米； 对所述溅射前晶圆进行溅射种子层处理，并去除所述支撑件，得到待电镀晶圆； 在所述待电镀晶圆的第一面制备缓冲膜；所述第一面为远离所述待电镀晶圆的电镀种子层的面；所述缓冲膜包括UV膜；所述缓冲膜的厚度为450微米～700微米；所述待电镀晶圆和所述缓冲膜的厚度和为700微米～1000微米； 将所述待电镀晶圆与电镀治具卡接，所述缓冲膜能够贴附在所述电镀治具上； 对所述待电镀晶圆进行电镀处理，在所述待电镀晶圆上形成布线层9； 去除所述缓冲膜； 对电镀后的晶圆进行植球处理，得到封装后晶圆。
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