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龙图腾网获悉江阴元灵芯旷微电子技术有限公司申请的专利一种基于温度补偿阵列的高精度振荡器电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223652229U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423269530.4，技术领域涉及：H03B5/04；该实用新型一种基于温度补偿阵列的高精度振荡器电路是由俞艳红设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于温度补偿阵列的高精度振荡器电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种基于温度补偿阵列的高精度振荡器电路，包括运放OP1、晶体管MN1、比较器阵列、参考电压设置电阻阵列和振荡器模块，所述运放OP1的正向输入端连接带隙基准电压源VREF，运放OP1的输出端连接晶体管MN1，运放OP1的反相输入端连接参考电压设置电阻阵列和晶体管MN1的源极，晶体管MN1的漏极连接电压VIN，所述参考电压设置电阻阵列由多个电阻串联组成。本实用新型采用正温度系数电阻和负温度系数电阻配合使用的方式，结合温度检测阵列，对上述两种温度系数进行调整，对整体温度系数进行补偿，理论上实现零温度系数特性，从而获得低温漂特性。

本实用新型一种基于温度补偿阵列的高精度振荡器电路在权利要求书中公布了：1.一种基于温度补偿阵列的高精度振荡器电路，包括运放OP1、晶体管MN1、比较器阵列、参考电压设置电阻阵列和振荡器模块，其特征在于：所述运放OP1的正向输入端连接带隙基准电压源VREF，运放OP1的输出端连接晶体管MN1，运放OP1的反相输入端连接参考电压设置电阻阵列和晶体管MN1的源极，晶体管MN1的漏极连接电压VIN，所述参考电压设置电阻阵列由多个电阻串联组成，相邻两电阻间采集的电压分别为VR1‑VRn，VR1‑VRn作为比较器阵列中N个比较器的正向输入信号，N个比较器的反向输入信号为温度检测模块获得的电压V_Temp，N个比较器的输出端均连接有对应的MOSFET，其中一部分MOSFET与正温系统电阻阵列并联连接，另一部分MOSFET与负温系统电阻阵列并联连接，正温系统电阻阵列和负温系统电阻阵列均由多个电阻串联组成，每个MOSFET的源极和漏极均连接在一个电阻的两端，正温系统电阻阵列一端连接振荡器模块，正温系统电阻阵列的另一端连接负温系统电阻阵列，负温系统电阻阵列的另一端接地。

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