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成都芯百特微电子有限公司张海涛获国家专利权

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龙图腾网获悉成都芯百特微电子有限公司申请的专利一种低噪声系数的射频功率放大电路和射频电源偏置电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223652233U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423227557.7,技术领域涉及:H03F1/26;该实用新型一种低噪声系数的射频功率放大电路和射频电源偏置电路是由张海涛设计研发完成,并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低噪声系数的射频功率放大电路和射频电源偏置电路在说明书摘要公布了:本实用新型涉及一种低噪声系数的射频功率放大电路和射频电源偏置电路,涉及射频功率电路技术领域。射频电源偏置电路射频电源偏置电路包括第一电感、第二电感、第一电阻、第二电阻和第五非极性电容;第一电阻的一端接射频功率放大器的输入端,另一端接射频偏置电源;所述第一电感的一端接射频偏置电源,另一端分别接第二电感的一端和第二电阻的一端;第二电感的另一端和第二电阻的另一端均通过第五非极性电容接地,使得可以明显提升滤波频段范围,在1‑20GHz频段范围内,有效降低带内插损,且可以有效滤除1‑20GHz的噪声,抑制电源尖峰脉冲,有效提高电源的稳定性,改善射频功率放大器的噪声系数。

本实用新型一种低噪声系数的射频功率放大电路和射频电源偏置电路在权利要求书中公布了:1.一种低噪声系数的射频功率放大电路,其特征在于,包括射频功率放大器U及其匹配电路,所述匹配电路包括射频信号输入匹配电路、射频电源偏置电路、工作电压输入匹配电路和射频信号输出匹配电路; 所述射频电源偏置电路包括第一电感L1、第二电感L2、第一电阻R1、第二电阻R2和第五非极性电容C5;所述第一电阻R1的一端接射频功率放大器U的输入端,另一端接射频偏置电源VGG;所述第一电感L1的一端接射频偏置电源VGG,另一端分别接第二电感L2的一端和第二电阻R2的一端;所述第二电感L2的另一端和第二电阻R2的另一端均通过第五非极性电容C5接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都芯百特微电子有限公司,其通讯地址为:610200 四川省成都市天府新区兴隆街道集萃路619号天府海创园2-1栋10层1003-1004号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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