桑迪士克科技有限责任公司X·B·皮特纳获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利使用单脉冲智能校验的存储器设备和操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114550786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110647759.9，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权使用单脉冲智能校验的存储器设备和操作方法是由X·B·皮特纳;D·杜塔;R·库马尔设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用单脉冲智能校验的存储器设备和操作方法在说明书摘要公布了：提供一种存储器设备和操作方法。所述设备包含存储器单元块，每一存储器单元连接到多个字线中的一个且布置成串，且被配置成保持阈值电压。控制电路耦合到所述字线和所述串，确定第一编程脉冲之后所述阈值电压的分布的编程低尾电压。所述控制电路基于所述编程低尾电压计算第二编程脉冲的第二编程电压，且将所述第二编程脉冲施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的每一个来对所述存储器单元进行编程，使得所述存储器单元的所述阈值电压的所述分布具有所要编程低尾电压，而无进一步编程脉冲。
本发明授权使用单脉冲智能校验的存储器设备和操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 存储器单元块，所述存储器单元中的每一个连接到多个字线中的一个并布置成串，且被配置成将阈值电压保持在限定阈值窗口的共同阈值电压范围内； 控制电路，其耦合到所述多个字线和所述串且被配置成： 确定具有第一编程电压的编程操作的第一编程脉冲之后所述存储器单元的所述阈值电压的分布的编程低尾电压，所述编程低尾电压对应于所述存储器单元的循环条件，以及 基于所述编程低尾电压计算所述编程操作的第二编程脉冲的第二编程电压，且 施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的每一个来对所述存储器单元进行编程，使得所述存储器单元的所述阈值电压的所述分布具有所要编程低尾电压，而无进一步编程脉冲。
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