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龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210186828.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片是由周智斌;季辉;汪延明设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长ALN层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；依次蚀刻贯穿第二型半导体层、多量子阱层以及部分第一型半导体层形成台阶结构；在台阶上沉积保护层；腐蚀保护层后在裸露的第一型半导体层上生长N型第一接触层；然后形成N型第二接触层；在第二型半导体层上形成与保护层并列设置的接触反射层；在N型第二接触层和接触反射层上分别形成第一电极加厚层，在第一电极加厚层上继续形成第二电极加厚层；沉积绝缘层；腐蚀绝缘层至第二电极加厚层分别形成N凹槽和P凹槽；在N凹槽中设置N电极，在P凹槽中设置P电极，得到LED芯片。

本发明授权一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底1上依次生长ALN层2、第一型半导体层3、多量子阱层4和第二型半导体层5； S2：依次蚀刻贯穿第二型半导体层5、多量子阱层4以及部分第一型半导体层3形成台阶结构；在台阶结构上沉积保护层6，保护层6覆盖裸露的第一型半导体层3表面、多量子阱层4的侧面、第二型半导体层5的侧面以及局部第二型半导体层5的上表面；腐蚀位于第一型半导体层3上的保护层6后在裸露的第一型半导体层3上生长N型第一接触层7； S3：在N型第一接触层7以及位于其两侧的保护层6上形成N型第二接触层8；在第二型半导体层5上形成与保护层6并列设置的接触反射层9；在N型第二接触层8和接触反射层9上分别形成第一电极加厚层10，在第一电极加厚层10上继续形成第二电极加厚层11；得到芯片初品；所述接触反射层9上方的第一电极加厚层10全面包覆接触反射层9；所述N型第二接触层8的上表面为中间低且四周高的凹形结构；N凹槽对应N型第二接触层8的中间部位设置； S4：在芯片初品上沉积绝缘层12；腐蚀绝缘层12至第二电极加厚层11分别形成N凹槽和P凹槽；所述N凹槽位于N型第二接触层8正上方；所述P凹槽位于接触反射层9正上方； S5：在N凹槽中设置N电极13，在P凹槽中设置P电极14，得到LED芯片。

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