中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司罗睿明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利MRAM读取电路及其读取方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114596891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011393855.7，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权MRAM读取电路及其读取方法、存储器是由罗睿明;王韬;汪腾野设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本MRAM读取电路及其读取方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请提供一种MRAM读取电路及其读取方法、存储器，所述MRAM读取电路，包括：第一数据通路，用于存储第一数据；第一参考通路，与所述第一数据通路连接且连接点为第一读取点，所述第一参考通路和所述第一数据通路的开启状态一致；第二数据通路，用于存储第二数据，所述第二数据通路与所述第一数据通路在读操作时的开启状态相反；第二参考通路，与所述第二数据通路连接且连接点为第二读取点，所述第二参考通路和所述第二数据通路的开启状态一致；比较模块，与所述第一读取点和所述第二读取点连接，用于读取所述第一数据通路或所述第二数据通路的数据。本申请技术方案的MRAM读取电路及其读取方法可以提高MRAM的读取性能。
本发明授权MRAM读取电路及其读取方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种MRAM读取电路，其特征在于，包括： 第一数据通路，用于存储第一数据； 第一参考通路，与所述第一数据通路连接且连接点为第一读取点，所述第一参考通路和所述第一数据通路的开启状态一致； 第二数据通路，用于存储第二数据，所述第二数据通路与所述第一数据通路在读操作时的开启状态相反； 第二参考通路，与所述第二数据通路连接且连接点为第二读取点，所述第二参考通路和所述第二数据通路的开启状态一致； 比较模块，所述比较模块的输入端与所述第一读取点和所述第二读取点连接，用于读取所述第一数据通路或所述第二数据通路的数据，在处于开启状态的数据通路的读取点所在通路输出数据信号，在处于未开启的数据通路的读取点所在通路输出参考信号，所述读取点为相应的数据通路和参考通路的连接点，所述比较模块通过比较所述数据信号和所述参考信号，获得读取结果。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：300385 天津市西青区兴华道19号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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