TDK株式会社石谷优刚获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁记录阵列、高频器件及磁化旋转元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080095332.6，技术领域涉及：H10D48/40；该发明授权磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁记录阵列、高频器件及磁化旋转元件的制造方法是由石谷优刚设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁记录阵列、高频器件及磁化旋转元件的制造方法在说明书摘要公布了：本实施方式的磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线20；第一铁磁性层1，其层叠于上述自旋轨道转矩配线；和低电阻层30，其层叠于从上述自旋轨道转矩配线的层叠方向观察与第一铁磁性层不重叠的区域，上述自旋轨道转矩配线具有第一区域21、第二区域22以及第三区域23，从上述层叠方向观察，上述第一区域与上述第一铁磁性层重叠，从上述层叠方向观察，上述第二区域与上述第一铁磁性层及上述低电阻层不重叠，且位于上述第一区域和上述第三区域之间，从上述层叠方向观察，上述第三区域与上述低电阻层重叠，上述低电阻层比上述自旋轨道转矩配线电阻率低，上述低电阻层比上述自旋轨道转矩配线厚度薄。
本发明授权磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁记录阵列、高频器件及磁化旋转元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁化旋转元件，其中， 具备： 自旋轨道转矩配线； 第一铁磁性层，其层叠于所述自旋轨道转矩配线；和 低电阻层，其层叠于从所述自旋轨道转矩配线的层叠方向观察与第一铁磁性层不重叠的区域， 所述自旋轨道转矩配线具有第一区域、第二区域以及第三区域， 从所述层叠方向观察，所述第一区域与所述第一铁磁性层重叠， 从所述层叠方向观察，所述第二区域与所述第一铁磁性层及所述低电阻层不重叠，且位于所述第一区域和所述第三区域之间， 从所述层叠方向观察，所述第三区域与所述低电阻层重叠， 所述低电阻层比所述自旋轨道转矩配线电阻率低， 所述低电阻层比所述自旋轨道转矩配线厚度薄， 所述低电阻层的所述第一铁磁性层侧的第一端的膜厚比所述低电阻层的位于远离所述第一铁磁性层的位置的第二端的膜厚薄。
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