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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种低粗糙度n型电极LED芯片的制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511104976.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种低粗糙度n型电极LED芯片的制备方法及芯片是由俄文文;张晓娜;王充;李勇强;纪银星;李晋闽设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低粗糙度n型电极LED芯片的制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种低粗糙度n型电极LED芯片制备方法，将AlGaN紫外LED芯片的常规第一n型接触电极作为牺牲电极，在第一n型接触电极高温退火合金化形成n型欧姆接触，此时外延片势垒已形成，采用湿法腐蚀的方法去掉第一n型接触电极，然后蒸镀功函数适宜的第二n型电极，同时起到加厚电极、电流扩展的作用，可获得优良的第二n型电极外观和电压。本发明可有效解决第一n型接触电极高温退火合金化后的粗糙引起的外观不良、良率损失和可靠性问题。

本发明授权一种低粗糙度n型电极LED芯片的制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种低粗糙度n型电极LED芯片的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： S1、由下往上依次在衬底101上生长AlN缓冲层102、n型半导体层103、量子阱层104和p型半导体层105，制备得到外延片结构； S2、利用光刻胶在p型半导体层105上图形化n型半导体层凹槽，并自上而下刻蚀至n型半导体层103，制备得到n型半导体凹槽； S3、利用光刻胶在n型半导体凹槽上图形化第一n型接触电极201，在n型半导体层103上蒸镀第一n型接触电极201； S4、第一n型接触电极201在氮气氛围下，进行高温快速退火形成n型欧姆接触；所述S4中的退火温度为600℃-1000℃，退火时间为30s-400s； S5、将第一n型接触电极201作为牺牲电极，用湿法腐蚀溶液腐蚀去除； S6、利用光刻胶在p型半导体层105上图形化第一p型接触电极202，在p型半导体层105上蒸镀第一p型接触电极202； S7、第一p型接触电极202在空气氛围下，进行低温长时间退火形成p型欧姆接触；所述S7中的退火温度为400℃-700℃，退火时间为60s-1200s； S8、在去除第一n型接触电极201的位置上利用光刻胶图形化第二n型电极301，在第一p型接触电极202上利用光刻胶图形化第二p型电极302，同时分别蒸镀第二n型电极301和第二p型电极302。

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