买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511271928.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率器件及其制备方法、电子设备是由余开庆;曾祥;相奇;彭天智;李恬恬设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率器件及其制备方法、电子设备，器件包括：衬底，衬底的第一表面上包括外延层；外延层内包括经由顶面沿朝向衬底的第一方向排列的源区、基区、屏蔽区；多个栅极，沿平行于第一表面的第二方向间隔分布，并沿第一方向贯穿源区、基区，并部分嵌入屏蔽区内；栅极包括沿第一方向排列的栅导电层、栅氧层；层间介质层，位于外延层顶面，包括沿第一方向贯穿栅导电层并与栅氧层相接触的延伸部；金属层，位于层间介质层顶面，包括：经由延伸部顶面向栅极内延伸的第一源极；第一源极的宽度和深度关联于功率器件的栅源电容。能够保证沟道密度的同时，提高栅氧层的可靠性。

本发明授权功率器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面上包括外延层；所述外延层内包括经由顶面沿朝向所述衬底的第一方向排列的源区、基区、屏蔽区； 多个栅极，沿平行于所述第一表面的第二方向间隔分布，并沿所述第一方向贯穿所述源区、所述基区，并部分嵌入所述屏蔽区内；所述栅极包括沿所述第一方向排列的栅导电层、栅氧层；所述栅极的栅沟槽包括一级沟槽，以及经由所述一级沟槽的底面沿所述第一方向，向所述屏蔽区内延伸的二级沟槽； 层间介质层，位于所述外延层顶面，包括沿所述第一方向贯穿所述栅导电层并与所述栅氧层相接触的延伸部；所述延伸部填满所述二级沟槽；所述延伸部与层间介质层在相同工艺步骤中同期制备而成； 金属层，位于所述层间介质层顶面，包括：经由所述延伸部顶面向所述栅极内延伸的第一源极；所述第一源极的宽度和深度关联于所述功率器件的栅源电容；其中，所述宽度用于表征沿所述第二方向的尺寸；所述深度用于表征沿所述第一方向的尺寸； 其中，刻蚀形成延伸部时所需的第一凹槽的光罩与刻蚀所述二级沟槽的光罩相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东芯粤能半导体有限公司，其通讯地址为：511462 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。